EPROM pret EEPROM
EEPROM un EPROM ir divu veidu atmiņas krātuves elementi, kas izstrādāti 1970. gados. Tie ir nepastāvīgi izdzēšami un pārprogrammējami atmiņas veidi, kurus parasti izmanto aparatūras programmēšanā.
Kas ir EPROM?
EPROM apzīmē izdzēšamu programmējamu lasāmatmiņu, arī tādu gaistošu atmiņas ierīču kategoriju, kuras var ieprogrammēt un arī izdzēst. EPROM izstrādāja Dovs Frohmans pie Intel 1971. gadā, pamatojoties uz izmeklēšanu par bojātām integrālajām shēmām, kur tranzistoru vārtu savienojumi bija salauzti.
EPROM atmiņas šūna ir liela peldošo vārtu lauka efektu tranzistoru kolekcija. Dati (katrs bits) tiek ierakstīti atsevišķos lauka efekta tranzistoros mikroshēmas iekšpusē, izmantojot programmētāju, kas iekšpusē rada avota kanalizācijas kontaktus. Pamatojoties uz šūnas adresi, šajā operācijā tiek izmantoti konkrēti FET krātuves dati un spriegums, kas ir daudz lielāks par parasto digitālās ķēdes darba spriegumu. Kad spriegums tiek noņemts, elektroni tiek ieslodzīti elektrodos. Silīcija dioksīda (SiO 2) izolācijas slānis starp vārtiem ļoti zemas vadītspējas dēļ ilgu laiku saglabā lādiņu; tādējādi saglabājot atmiņu desmit līdz divdesmit gadus.
EPROM mikroshēma tiek izdzēsta, pakļaujot spēcīgiem UV avotiem, piemēram, dzīvsudraba tvaika lampai. Dzēšanu var veikt, izmantojot UV gaismu, kuras viļņa garums ir mazāks par 300 nm, un pakļaujot 20–30 minūtes tuvā diapazonā (<3 cm). Tam EPROM pakete ir veidota ar kausētu kvarca logu, kas silīcija mikroshēmu pakļauj gaismai. Tāpēc EPROM ir viegli identificējams no šī raksturīgā kausētā kvarca loga. Dzēst var arī izmantojot rentgenstarus.
EPROM galvenokārt izmanto kā statiskās atmiņas krājumus lielās ķēdēs. Tos plaši izmantoja kā BIOS mikroshēmas datoru mātesplatēs. Bet tos aizstāj tādas jaunas tehnoloģijas kā EEPROM, kas ir lētākas, mazākas un ātrākas.
Kas ir EEPROM?
EEPROM nozīmē elektroniski izdzēšamu programmējamu lasāmatmiņu, kas bija visplašāk izmantotais atmiņas šūnu veids, līdz kļuva pieejama Flash atmiņa. EEPROM 1978. gadā Intel izstrādāja Džordžs Perlogoss, pamatojoties uz iepriekš izstrādāto EPROM tehnoloģiju. Intel 2816 ir pirmais komerciāli laistais EEPROM mikroshēma.
EEPROM ir arī liels peldošo vārtu MOSFET klāsts, piemēram, EPROM, taču atšķirībā no EPROM, EEPROM starp vārtiem ir plānāks izolācijas slānis. Tāpēc lādiņus vārtos var mainīt elektroniski. EEPROM ir gan elektroniski programmējami, gan izdzēšami. Tos var ieprogrammēt, izdzēst un pēc tam pārprogrammēt, neizņemot no ķēdes. Bet ķēde ir jāprojektē tā, lai pielāgotos īpašu programmēšanas signālu pārraidei.
Pamatojoties uz datu sakaru režīmu, EEPROM tiek iedalīti sērijveida un paralēlās saskarnes tipos. Parasti paralēlo kopņu mikroshēmām ir 8 bitu plata datu kopne, kas ļauj plašāk izmantot atmiņu. Turpretī sērijveida saskarnes tipam ir mazāk tapu; tāpēc darbība jāveic sērijveidā. Tāpēc paralēlā EEPROM ir ātrāka un tiek parasti izmantota salīdzinājumā ar sērijas saskarnes tipa EEPROM.
EEPROM mikroshēmas tiek plaši izmantotas datoros un citās elektroniskās ierīcēs, lai uzglabātu nelielu daudzumu datu, kas jāsaglabā, kad strāvas padeve tiek atvienota, un restartēšanas laikā tie ir jāatgūst. Tāda informācija kā konfigurācijas informācija un kalibrēšanas tabulas tika saglabāta EEPROM. EEPROM tika izmantoti arī kā BIOS mikroshēmas. Tagad EEPROM variants, FLASH ROM, ir pārņēmis tirgu, pateicoties tā jaudai, zemajām izmaksām un izturībai.
Kāda ir atšķirība starp EEPROM un EPROM?
• EPROM ir jāizdzēš, pakļaujoties UV gaismai, un EEPROM var izdzēst elektroniski.
• EPROM iepakojumā ir kvarca logs, kas mikroshēmu pakļauj UV gaismai, un EEPROM ir pilnībā iesaiņoti necaurspīdīgā plastmasas korpusā.
• EPROM ir vecāka tehnoloģija.
